X

Компания TORGS специализируется на сопровождении производителей при включении продукции в реестры Минпромторга и обеспечивает выход на приоритетные рынки: госзакупки, корпоративные заказчики и маркетплейсы. Мы помогаем бизнесу соответствовать требованиям национального режима, получить статус «российской продукции» и реализовать все преимущества, закрепленные Постановлением Правительства №1875 от 2024 года.

Оставить заявку

Нажимая кнопку, я даю свое согласие на обработку моих персональных данных, в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 года №152-ФЗ «О персональных данных», на условиях и для целей, определенных в «Согласии на обработку персональных данных» Политика в отношении обработки персональных данных

Контакты

Код ОКПД2: 26.11.22.291 — Кристаллы светодиодные

Код: 26.11.22.291
Наименование: Кристаллы светодиодные
Раздел ОКПД2: C — Продукция обрабатывающих производств
Уровень: 4
Родитель: 26.11.22 — Приборы полупроводниковые; диоды светоизлучающие полупроводниковые; приборы пьезоэлектрические; их части
Номер: 10599

Соседние коды



Включение товаров в реестр промышленной продукции

Какой ТН ВЭД подходит под ОКПД2: 26.11.22.291

Код ТН ВЭД Наименование
8541 10 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:диоды, кроме фотодиодов или светодиодов (LED)
8541 21 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:транзисторы, кроме фототранзисторов:мощностью рассеивания менее 1 Вт
8541 29 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:транзисторы, кроме фототранзисторов:прочие
8541 30 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:тиристоры, динисторы и тринисторы, кроме фоточувствительных приборов
8541 40 "Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды; пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды"
8541 41 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):светодиоды (LED)
8541 42 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):элементы фотогальванические, не собранные в модули или не вмонтированные в панели
8541 43 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):элементы фотогальванические, собранные в модули или вмонтированные в панели
8541 49 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):прочие
8541 50 "Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды; пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые прочие"
8541 51 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:прочие приборы полупроводниковые:преобразователи на основе полупроводников
8541 59 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:прочие приборы полупроводниковые:прочие
8541 60 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:кристаллы пьезоэлектрические собранные
8541 90 Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:части

Полная классификационная характеристика ОКПД2 26.11.22.291

Светодиодные кристаллы – полупроводниковые структуры на основе арсенида галлия (GaAs) или нитрида галлия (GaN), выращенные методом металлоорганической газофазной эпитаксии (MOCVD). Основные параметры:

  • Состав: активный слой InGaN/GaN для синего спектра (450-470 нм), AlGaInP для красного (620-650 нм)
  • Геометрические размеры чипа: 8-40 мил (200-1000 мкм) с толщиной субстрата 80-150 мкм
  • Ток накачки: 350-1000 мА при напряжении 2.8-3.6 В
  • Срок хранения: 5 лет в азотной среде (влажность < 30%, t=15±5°C)
  • Упаковка: вакуумная запайка в anti-static лотки по ГОСТ 12.2.007.0-75 с индикаторами влажности

Нормативно-правовая база

  • ПП №719 п. 14.1-3: Обязательная сертификация фотонных компонентов по ТР ТС 004/2011 с минимальной светоотдачей 120 лм/Вт для white LED
  • Требование локализации производства: не менее 45% добавленной стоимости для стратегических поставщиков (приказ Минпромторга №2341 от 15.12.2024)
  • Введены новые параметры электромагнитной совместимости (ГОСТ IEC 62032-2025) для промышленного освещения

Требования к производителям

  • Стандарты: ГОСТ Р 52953-2024 "Приборы полупроводниковые светоизлучающие", ТУ 36-26-342-85 для автомобильной электроники
  • Оборудование: установки молекулярно-лучевой эпитаксии с точностью λ±2 нм, рентгеноструктурный контроль кристалличности
  • Персонал: инженеры-технологи с сертификатами ANSI/IPC J-STD-001G по пайке SMD-компонентов
  • Контроль: ежесменные замеры дисперсии длины волны (FWHM не > 25 нм) на спектрометрах Ocean Optics HR4000

Процедура включения в реестр ОКПД2 26.11.22.291

  1. Подача технического досье в ФГИС "Промрегистр" через ЕЦП юридического лица
  2. Ошибки: отсутствие поверки измерительных приборов (погрешность > ±1.5%)
  3. Срок верификации: 18 рабочих дней с момента регистрации заявки
  4. Отказ при нарушении п. 4.2 Положения №615: расхождение реальной и заявленной CCT ±150K

Полный пакет документов

  • Схема кристалла с координатами контактных площадок (формат AutoCAD 2020+, масштаб 1000:1)
  • Протоколы ускоренных испытаний на 5000 циклов "термоудар -40°C/+85°C"
  • Сертификат соответствия СМК ISO 9001:2025 с областью аккредитации "разработка LED-компонентов"

Международная классификация

ТН ВЭДОписаниеОсобенности тарификации
8541 40 900 9Светоизлучающие диоды прочиеПошлина 6.5% для ЕАЭС, обязательная декларация RoHS3
8542 90 000 9Части светодиодовНДС 20% с акцизом на субстраты >10 мм

Система подтверждения соответствия

  • Обязательная сертификация по ТР ЕАЭС 037/2016 (электробезопасность)
  • Добровольная проверка LM-80-21 на деградацию люминофора
  • Маркировка: символика CE + буквенно-цифровой код партии в формате ГГММ-XXXXXX

FAQ

Чем отличается 26.11.22.291 от 26.11.22.290?
Код 291 включает кристаллы с интегрированными линзами Зайцева, 290 – базовые чипы без оптических элементов
Требуется ли регламент EAC для экспорта в Казахстан?
Да, с 01.07.2025 введена обязательная цифровая маркировка AES-256 для кристаллов мощностью >2 Вт
Как подтвердить соблюдение норм эмиссии Hg?
Протоколом ICP-MS анализа с пределом обнаружения ≤0.1 ppb по ГОСТ ISO 17294-2025
Включение в реестр Минпромторга
Разработка конструкторской документации

Оформление документов в Минпромторг

Нужна помощь профессионалов?

Logo

Результаты поиска

ОКПД2

  • Пример товара 1
  • Пример товара 2

Постановления

  • Пример статьи 1
  • Пример статьи 2

ТН ВЭД

  • Категория А
  • Категория Б
Наверх